| 型号： | DDA114TU-7-F | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Diodes Inc | 描述： | TRANS PREBIASED DUAL PNP SOT363 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| DDA114TU-7-F PDF |  |
| 产品变化通告 | Encapsulate Change 09/July/2007 |
| 产品目录绘图 | SOT-363 Package Top SOT-363 Package Circuit |
| 标准包装 | 3,000 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1)（欧） | 10k |
| 电阻器 - 发射极 (R2)（欧） | - |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 100 @ 1mA，5V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 300mV @ 100µA，1mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 频率 - 转换 | 250MHz |
| 功率 - 最大 | 200mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装 | SOT-363 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 产品目录页面 | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | DDA114TU-FDITR |